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IRF6618中文资料

IRF6618图片

IRF6618外观图

  • 大小：234.57KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：Power MOSFET
  • 标准包装：4,800
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：30A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.2 毫欧 @ 30A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.35V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：65nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：5640pF @ 15V
  • 功率 - 最大：2.8W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：DirectFET? 等容 MT
  • 供应商设备封装：DIRECTFET? MT
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IRF6618TR

IRF6618供应商

更新时间:2023-04-02 08:33:52
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